近日,DB HiTek公司宣布已研发出基于110纳米的全局快门(Global Shutter)和单光子雪崩二极管(Single-Photon Avalanche Diode,SPAD)工艺,并将扩展其图像传感器产品系列。

全局快门使得图像传感器能够同时感应所有像素的图像信息,即使在拍摄快速移动的物体时,也能准确记录视频和图像而不会失真。此外,全局快门还能助力机器视觉高度精确地识别物体形态。近来,全局快门广泛应用于工业机器视觉,此外还适用于汽车和无人机摄像头等各种应用。

DB HiTek的全局快门基于110nm背照式(BSI)工艺,并采用了遮光罩(light shield)和导光(light guide)技术,拥有99.99%的全局快门效率(GSE)性能,并且能支持最小至2.8um的多种像素尺寸。


DB HiTek的CMOS图像传感器技术路线图

SPAD是一种光电传感技术,可以检测到单光子水平的弱光信号。SPAD能够识别从传感器发射光线到物体反射回光线所需的飞行时间(ToF),从而测量出传感器与物体之间的距离。凭借长距离和高精度优势,SPAD被积极应用于车载激光雷达(LiDAR)等ToF测距领域,同时也适用于智能手机、AR/VR可穿戴设备、监控摄像头和工业机器视觉等各种应用。

DB HiTek以110纳米前照式(FSI)工艺为基础,实现了3.8%光子探测概率(@905纳米波长)性能,公司还计划在今年内实现BSI工艺,并完成7%光子探测概率(@905纳米波长)的SPAD工艺研发。

为了协助无晶圆厂客户按时进入市场并提高产品竞争力,DB HiTek将在今年9月提供专门为全局快门和SPAD技术研发的多项目晶圆(Multi Project Wafer,MPW)服务。

关于DB HiTek

DB HiTek前身是Dongbu HiTek(东部高科),是全球领先的专业晶圆代工厂,公司总部位于韩国,在BCDMOS、CMOS图像传感器(CIS)、MEMS、MS/RF和SJ MOSFET工艺方面具有竞争优势。